PECVD管式炉系统
简介
PECVD（等离子体增强化学气相沉积）管式炉系统，通过射频激发产生等离子体，使反应气体在低温下高效激活并沉积成膜。该工艺具备基片温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔少、不易龟裂等优势，是制备高质量功能薄膜的理想设备。
系统采用滑动式炉体设计，实现快速升降温；配备高精度真空系统与多路质量流量计，可精确控制气体氛围与工艺真空度，广泛适用于石墨烯薄膜、金属薄膜、陶瓷薄膜及复合薄膜的实验室研究与工艺开发。
主要应用领域
高等院校、科研院所的薄膜材料研究
真空镀膜、纳米薄膜制备
石墨烯、纳米线等低维材料生长
金属、陶瓷及多层复合薄膜沉积
等离子清洗、表面刻蚀等扩展工艺
产品核心特点
沉积速率高：采用RF辉光放电技术，薄膜沉积速率可达10Å/S；
膜层均匀性好：通过多点射频馈入、优化气路与加热布局，膜厚均匀性可达8%；
工艺一致性强：借鉴半导体设备设计理念，实现片间偏差＜2%，重复性优异；
系统稳定性高：整机运行稳定，支持长时间连续工艺，保障研发与量产可靠性。
关键性能参数
最高工作温度：1200℃
长期工作温度：≤1100℃
热电偶类型：K型
加热元件：HRE合金电阻丝
极限真空度：1Pa（可配分子泵系统实现更高真空）
气体控制系统：三路质子流量计，双卡套接头，316L不锈钢材质，耐腐蚀
