CVD管式炉是一款专为材料科学领域设计的高性能化学气相沉积（CVD）系统。本设备采用一体化集成设计，由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、高精度压强控制单元以及多通道数字质量流量控制系统组成，可实现极限真空达0.001Pa，适用于精确控制的高温气氛反应与薄膜沉积实验。

 

应用领域

广泛适用于高等院校、科研机构及高新技术企业在以下领域的研究与开发：

 

高温气氛烧结与气氛还原

 

化学气相沉积（CVD/CVI）实验

 

真空镀膜、纳米薄膜与复合薄膜制备

 

纳米线生长与功能材料合成

 

电池材料干燥、烧结与改性处理

 

金属、陶瓷及多层薄膜沉积

 

可扩展用于等离子清洗、刻蚀等工艺

 

产品核心优势

 

沉积速率高：采用射频辉光技术，显著提升薄膜沉积效率

 

均匀性与一致性强：通过多点射频馈入、优化气路布局及温场控制，薄膜均匀性好，片间偏差低

 

系统智能集成：采用一体式智能控制系统，集成温控、气路、真空及安全模块，操作简便、稳定性高。

 

工艺扩展灵活：支持多类型薄膜生长，并可通过模块化设计轻松扩展等离子处理等功能。

 

关键部件优质可靠：采用进口电气元件与HRE电阻丝加热系统，配合K型热电偶与316L不锈钢气路组件，确保设备长期稳定运行。

 

主要技术参数

 

最高工作温度：1200℃

 

建议长期使用温度：≤1100℃

 

热电偶类型：K型

 

加热元件：HRE合金电阻丝

 

极限真空度：1Pa（配分子泵真空系统可达0.001Pa）

 

流量控制系统：三路质子流量计，双卡套接口，316L不锈钢材质，耐腐蚀

 

控制方式：闭环负反馈温控，支持多段编程与实时监控